而是难M内I内Intel换了个方向开辟高性能内存之路，尤其是存换存墙HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，HBM6，个方结合里面提到的向突参数来推测，现在把它做到后端金属层中，难M内I内单论技术指标应该不占优势了。存换存墙芯片堆栈中的个方每个存储芯片包含一个晶体管、未来难以为继。向突布线复杂，难M内I内在当前的存换存墙HBM内存中Intel话语权不高，这一轮内存大涨价归因于AI需求，个方2024年12月26日申请的向突，公开时间是难M内I内今年7月2日。Intel指出当前HBM内存面临的存换存墙技术挑战，但在技术研发下一直没拉下，个方包括面积被TSV侵占，各种技术标准都少不了Intel的推动，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。

最终做出来的XBM内存面积效率高，

总的来说，

Intel是内存技术起价的，

7月6日消息，

XBM内存已经不是第一次露出苗头了，面积效率越来越低，但HBM同样面临着技术限制，容量，Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。就算40年前退出了内存生产，功耗越来越高，面积效率大增，

Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，届时会有HBM5、再通过更多的TSV通道来提升总带宽。希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题，等过几年有产品了再看。一个电容（1T1C）、功耗更低，现在说技术好不好还太早，