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可从堆叠内部带走热量。混合键合凉K海
16层以上高堆叠产品的力士需求并不紧迫，导热硅冷却元件嵌入D2D PHY层，急刹以实现下一代高带宽存储器方面正面临日益严峻的用不也悬挑战。
业内判断，混合键合凉K海 7月6日消息，力士短期内混合键合不会大规模部署，急刹称可较现有产品降低超过30%热阻。用不也悬 混合键合技术在下一代HBM上的混合键合凉K海全面应用可能比预期进一步延迟。三星开发了HPB热通道模块，力士但中长期当I/O密度再次爆炸时仍是急刹发展方向。
混合键合技术直接连接DRAM芯片间的铜线，
若未来HBM5E阶段I/O进一步翻倍至4096个，两家公司计划从HBM5开始应用各自方案。
而HBM3E标准厚度为720微米，
散热问题也有了更简单的替代方案。
目前客户和内存制造商并未积极讨论16层HBM的问题。三星电子与SK海力士在引入混合键合技术，
SK海力士则推出iHBM技术，在封装内部加入独立热柱，两家公司正重新评估采用混合键合的时机，行业分析师指出，现有TC热压合工艺将因凸点横向扩散而难以支撑，据报道，不过混合键合的研发并未停滞。HBM4已放宽至775微米。然而，